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台积电、三星、Intel先进制程对比

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admin 发布于 3年前 (2014-12-26)

台积电、三星、Intel先进制程对比,半导体评断技术实力,看的是晶体管效能、芯片金属层连结及芯片闸密度,后二者台积电都已超越英特尔,一旦台积电二年内在晶体管效能追平英特尔,台积电将可正式跃居全球半导体新霸主地位

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2020年7纳米制程:摩尔定律的终点站

admin 发布于 5年前 (2013-08-29)

美国国防部先进研究项目局微系统技术办公室主管罗伯特-克罗韦尔(Robert Colwell)认为,摩尔定律的终结不只对物理界影响巨大,对经济的影响也很大。克罗韦尔称:“我认为是时候为摩尔定律的终结作计划了,不只要思考它何时终结,思考它为什么终结也很有意义。”周一时,克罗韦尔在斯坦...

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半导体工艺中几种常见的光刻方法

admin 发布于 5年前 (2012-12-30)

接触式光刻:分辨率较高,但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光:在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10~25m),可以大大减小掩膜版的损伤,分辨率较低 投影式曝光:利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法,目前用的最多的曝光方式

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晶体管的名称属性—IGBT和MCT

admin 发布于 5年前 (2012-12-10)

总的来说, 晶体管可以划分为两类:双极型晶体管(BT)和场效应晶体管(FET)。它们的基本特点分别是:双极型晶体管是两种载流子都参与工作的器件,通过的电流主要是少数载流子的扩散电流,是电流控制的器件,BJT和可控硅等晶闸管都是典型的双极型晶体管;场效应晶体管是一种载流子——多数载...

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一颗 45nm CPU的制造过程

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admin 发布于 5年前 (2012-12-08)

沙子 : 硅是地壳内第二丰富的元素,而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,这也是半导体制造产业的基础。 硅熔炼 : 12英寸/300毫米晶圆级,下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅,学名电子级硅(EGS),平均每一百万个硅...

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美研制出栅长20纳米的新型“4维”晶体管

admin 发布于 5年前 (2012-12-07)

 据物理学家组织网12月6日(北京时间)报道,美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明:一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管,其重要组件“门”(栅极)的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为“4维”晶体管的新事物预告了引领半导体工业和未来计算机领域发展的潮流...

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CMP后清洗技术进展

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admin 发布于 7年前 (2011-11-06)

摩尔定律的一个重大副作用就是从不明确地确定半导体产业中的技术问题。对目前制造节点完全适用的材料和工艺可能几年后就不够了。问题出自特征尺寸的不断缩小。极细线条中的性能与大块材料的性质能有极大的差别。 根据下式,减少粗导线的截面积电阻就增加: R=(l*ρ)/A 式中,l=导线长度,...

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化学机械平坦化CMP

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admin 发布于 7年前 (2011-11-02)

到了20世纪80年代后期,IBM开发了化学机械平坦化(chemical mechanical planarization, CMP)的全局平坦化方法。它成为20世纪90年代高密度半导体制造中平坦化的标准。 自20世纪90年代中期以来,化学机械平坦化成为实现多层金属技术的主要平坦化...

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半导体制造中传统的平坦化技术

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admin 发布于 7年前 (2011-11-01)

20世纪70年代出现了多层金属技术,但伴随其出现的较大的表面起伏也成为了亚微米图形制作的不利因素,如下图所示。更高的芯片封装密度加剧了表面的起伏程度。随着IC设计中越来越频繁的使用多层金属技术,并要求更小的器件和内连线尺寸,先进IC的表面出现更高的台阶和深宽更大的沟槽,使得台阶覆...

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