接触孔形成工艺

目的是在所有硅的有源区形成金属接触。这层金属接触可以使硅和随后沉积的导电材料更加紧密地结合起来（如下图）。硅片表面的沾污和氧化物被清洗掉后，会利用物理气相沉积(PVD)在硅片表面沉积一层金属，即在一个等离子的腔体中带电的氩离子轰击金属靶，释放出金属原子，使其沉积在硅片表面。之后对硅片进行高温退火，金属和硅在高温下形成金属硅化物,最后用化学方法刻蚀掉没有发生反应的金属，将金属的硅化物留在了硅表面。

接触（孔）形成工艺

钛是做金属接触的理想材料，它的电阻很低，可以与硅发生反应形成TiSi ₂ (钛化硅)，而钛和二氧化硅不发生反应，因此这两种物质不会发生化学的键合或者物于是聚集。因此钛能够轻易地从二氧化硅表面除去，而不需要额外的掩膜。钛的硅化物在所有有源硅的表面保留了下来（如源、漏和栅）。

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