CMOS制作步骤（六）：源/漏注入工艺
在侧墙形成后，需要进行的就是源/漏注入工艺 。 先要进行的是n+源/漏注入，光刻出n型晶体管区域后，进行中等剂量的注入，其深度大于LDD的结深，且二氧化硅构成的侧墙阻止了砷杂质进入狭窄的沟道区。接下来进行P+源/漏注入，在光刻出了要进行注入的P型晶体管区域后，同样进行中等剂量注入，形成的结深比LDD形成的结深略大，侧墙起了同样的阻挡作用。注入后的硅片在快速退火装置中退火，在高温状态下，对于阻止结构的扩展以及控制源/漏区杂质的扩散都非常重要。 源/漏注入工艺 的基本过程如下图所示：
n+源/漏注入
n+源/漏注入
p+源/漏注入
p+源/漏注入
CMOS制作基本步骤的相关文章
- CMOS制作步骤（一）：双阱工艺（twin well process）
- CMOS制作步骤（二）：浅槽隔离工艺STI(shadow trench isolation process)
- CMOS制作步骤（三）：多晶硅栅结构工艺(poly gate structural process)
- CMOS制作步骤（四）：轻掺杂漏注入工艺LDD（lightly doped drain implants process）
- CMOS制作步骤（五）：侧墙的形成（side wall spacer formation）
- CMOS制作步骤（六）：源/漏注入工艺（S/D implant process)
- CMOS制作步骤（七）：接触（孔）形成工艺（contact formation）
- CMOS制作步骤（八）：局部互连工艺LI（Local Interconnect process）
- CMOS制作步骤（九）：Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成（Via-1 and Plug-1 formation）
- CMOS制作步骤（十）：Via-2, Plug-2,Metal-2及Top Metal形成（Via-2,Plug-2,metal2 interconnect and top metal formation）