CMOS 制造第四步，防短沟道、降漏电、造浅结，一步到位。

1. 为什么需要 LDD？

• 栅宽 ↓ → 沟道长度 ↓ → 短沟道效应 ↑
• 高电场 → 热载流子退化 & 漏电流 ↑
• 解决思路：在源/漏与沟道之间插入 低浓度、浅结 过渡区 → LDD

2. LDD 工艺总览

步骤	目的	关键工艺
N-LDD	NMOS 侧轻掺杂	砷 (As) 注入 + 表面非晶化
P-LDD	PMOS 侧轻掺杂	BF₂ 注入 + 表面非晶化

均为第四步制造步骤，紧接栅极形成后。

3. 流程拆解

3.1 N-LDD

1. 光刻
   • 胶开窗：仅暴露 NMOS 区域
2. 离子注入
   • As⁺ (砷)：大质量 → 浅结 + 表面非晶化
   • 能量低 → 结深 < 50 nm

3.2 P-LDD

1. 光刻
   • 胶开窗：仅暴露 PMOS 区域
2. 离子注入
   • BF₂⁺ (氟化硼)：比 B⁺ 更重，非晶化更好
   • 同样低能浅结，抑制硼扩散

4. 工艺收益

效果	机制
抑制短沟道	低浓度扩散区降低峰值电场
减小漏电流	浅结 + 非晶化 → 缺陷复合中心 ↓
提升可靠性	热载流子注入 (HCI) 降低

5. 一句话总结

LDD = “轻掺杂 + 浅结 + 非晶化”，用最小剂量把源漏电场“削峰”，让短沟道器件既快又稳。

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