四步完成：栅氧 → 淀积 Poly → 光刻 → 刻蚀；特征尺寸由此定义，同时自对准掩蔽后续 S/D 注入。

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1. 工艺地位

• 特征尺寸决定者：栅长 = 工艺节点
• 自对准掩膜：后续 LDD / S/D 注入均以它为硬掩膜
• 关键质量指标：线宽控制、侧壁陡直度、表面粗糙度

2. 四步流程

步骤	工艺 & 设备	关键参数 / 目的
1. 栅氧化层生长	干氧/湿氧氧化炉	8–15 Å 高 k 或 SiO₂；去除原生氧化层 + 钝化界面
2. 多晶硅淀积	LPCVD + SiH₄	100–300 nm，可现场掺杂（N⁺/P⁺ poly）
3. 光刻	DUV 光刻机 + 掩膜版	定义栅极图形；CD 控制 ≤ ±2 nm
4. 刻蚀	各向异性等离子体刻蚀	垂直侧壁、无底切；终点检测至栅氧层

3. 结果示意

• 栅长 Lg = 光刻/刻蚀精度
• 栅高 Hpoly ≈ 淀积厚度
• 侧壁陡直度 > 85°（保证后续 spacer 均匀）

4. 版图/工艺接口要点

• 最小栅长 在版图层 POLY 中定义
• 栅-有源间距 需满足设计规则（DRC）
• 刻蚀偏置 需在 OPC 阶段补偿

一句话：先长一层超薄栅氧，再淀积掺杂多晶硅，通过 DUV + 等离子刻蚀把“尺子”刻出来——这就是整个 CMOS 工艺的特征尺寸原点。

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