把整条生产线浓缩成 14 张“脑内卡片”，画版图时随时对照，避免踩坑。

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CMOS制作中主要步骤

0. 版图与工艺的对应关系

Fab 区域	做哪几步	版图层示例
扩散区	高温氧化/退火	WELL、ACTIVE
光刻区	图形定义	POLY、METALx
刻蚀区	图形转移	POLY、CONT、VIA
离子注入区	掺杂	NIMP、PIMP
薄膜区	淀积介电/金属	VIAx、METALx
抛光区	CMP 平坦化	IMD 全局平坦

1~14 步流程总览

步骤	工艺动作	版图关注点
1 双阱注入	N-well / P-well 高能注入	阱距、隔离环
2 浅槽隔离 STI	刻槽+氧化+回填+CMP	ACTIVE 尺寸、STI 宽度
3 栅结构	栅氧+Poly-Si 淀积+光刻/刻蚀	POLY 最小线宽、栅-沟道缩进
4 LDD 注入	轻掺杂浅结	LDD-OD 间距
5 侧墙 Spacer	CVD 二氧化硅+各向异性刻蚀	Spacer 宽度=后续 S/D 到栅距
6 S/D 注入	中等能量深结	S/D OD 尺寸、与栅重叠
7 金属接触 Silicide	自对准硅化钨	CONT 尺寸、CONT-to-POLY 间距
8 局部互连 LI	第一层钨线	LI 线宽/间距
9~10 通孔1 + 金属1	IMD1 → VIA1 → METAL1	VIA1 覆盖、METAL1 最小线宽
11~13 上层金属/通孔	重复 2~5 层	METAL25、VIA25、压焊点
14 钝化 & 测试	钝化层开窗、探针测试	PAD 开口、测试结构

版图工程师一句话总结

“画每一层前，先问自己：这一步工艺怎么影响图形尺寸、对准、覆盖？”
把 14 步流程贴在工位，画线时实时对照，DRC/LVS 一次过。

CMOS制作基本步骤的相关文章

1. CMOS制作步骤（一）：双阱工艺（twin well process）
2. CMOS制作步骤（二）：浅槽隔离工艺STI(shadow trench isolation process)
3. CMOS制作步骤（三）：多晶硅栅结构工艺(poly gate structural process)
4. CMOS制作步骤（四）：轻掺杂漏注入工艺LDD（lightly doped drain implants process）
5. CMOS制作步骤（五）：侧墙的形成（side wall spacer formation）
6. CMOS制作步骤（六）：源/漏注入工艺（S/D implant process)
7. CMOS制作步骤（七）：接触（孔）形成工艺（contact formation）
8. CMOS制作步骤（八）：局部互连工艺LI（Local Interconnect process）
9. CMOS制作步骤（九）：Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成（Via-1 and Plug-1 formation）
10. CMOS制作步骤（十）：Via-2, Plug-2,Metal-2及Top Metal形成（Via-2,Plug-2,metal2 interconnect and top metal formation）

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