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半导体工艺中几种常见的光刻方法

接触式光刻:分辨率较高,但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。
接近式曝光:在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10~25m),可以大大减小掩膜版的损伤,分辨率较低
投影式曝光:利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法,目前用的最多的曝光方式

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