通常所说的DDR其实是人们将DDR SDRAM简化后的叫法，其英文全称Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，翻译过来叫双倍速率同步动态随机存储器。
SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，还有DD4和DDR5。
DDR的发展经历了四个特点：1、速度与容量：成倍提升；2、延迟值：一代比一代高；3、功耗：一次又一次降低；4、制造工艺：不断提高;
工作电压：SDR：3.3V; DDR：2.5V; DDR2：1.8V; DDR3：1.5V
DDR的读写频率从DDR200到DDR400，DDR2从DDR2-400到DDR2-800，DDR3从DDR3-800到DDR3-1600
内存双通道: 很多人经常将DDR/DDR2/DDR3和内存的双通道、三通道技术相混淆，事实上这是两组毫无关系的概念，DDR/X是一种内存的设计技术，而多通道内存技术是一种在主板上实现的并行内存访问技术，与使用的内存类型没有关系。两个通道甚至可以使用不同速率或访问时序的内存。
SDRAM在设计和版图阶段都应该重点注意以下信号：
（1）CLK：时钟信号，为输入信号。SDRAM所有输入信号的逻辑状态都需要通过CLK的上升沿采样确定。
（2）CKE：时钟使能信号，为输入信号，高电平有效。CKE信号的用途有两个：一、关闭时钟以进入省电模式；二、进入自刷新状态。CKE无效时，SDRAM内部所有与输入相关的功能模块停止工作。
（3）CS#：片选信号，为输入信号，低电平有效。只有当片选信号有效后，SDRAM才能识别控制器发送来的命令。设计时注意上拉。
（4）RAS#：行地址选通信号，为输入信号，低电平有效。
（5）CAS#：列地址选通信号，为输入信号，低电平有效。
（6）WE#：写使能信号，为输入信号，低电平有效。
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