DDR SDRAM简单介绍

通常所说的DDR其实是人们将DDR SDRAM简化后的叫法,其英文全称Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,翻译过来叫双倍速率同步动态随机存储器。

SDRAM从发展到现在已经经历了四代,分别是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM,还有DD4和DDR5。

DDR的发展经历了四个特点:1、速度与容量:成倍提升;2、延迟值:一代比一代高;3、功耗:一次又一次降低;4、制造工艺:不断提高;

工作电压:SDR:3.3V; DDR:2.5V; DDR2:1.8V; DDR3:1.5V

DDR的读写频率从DDR200到DDR400,DDR2从DDR2-400到DDR2-800,DDR3从DDR3-800到DDR3-1600

内存双通道: 很多人经常将DDR/DDR2/DDR3和内存的双通道、三通道技术相混淆,事实上这是两组毫无关系的概念,DDR/X是一种内存的设计技术,而多通道内存技术是一种在主板上实现的并行内存访问技术,与使用的内存类型没有关系。两个通道甚至可以使用不同速率或访问时序的内存。

SDRAM在设计和版图阶段都应该重点注意以下信号:
(1)CLK:时钟信号,为输入信号。SDRAM所有输入信号的逻辑状态都需要通过CLK的上升沿采样确定。
(2)CKE:时钟使能信号,为输入信号,高电平有效。CKE信号的用途有两个:一、关闭时钟以进入省电模式;二、进入自刷新状态。CKE无效时,SDRAM内部所有与输入相关的功能模块停止工作。
(3)CS#:片选信号,为输入信号,低电平有效。只有当片选信号有效后,SDRAM才能识别控制器发送来的命令。设计时注意上拉。
(4)RAS#:行地址选通信号,为输入信号,低电平有效。
(5)CAS#:列地址选通信号,为输入信号,低电平有效。
(6)WE#:写使能信号,为输入信号,低电平有效。
http://www.baike.com/wiki/DDR

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