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OPC Mask(光学临近修正掩膜)

今天做用台积0.16um工艺的一个项目Ejob View时发现有些图形会在结尾处的两个直角顶点加两个小小的图形,突然就想起来上学时学MEMS相关课程时做过的一个硅悬臂梁腐蚀的实验,正常的直角腐蚀完后会变成有损缺的圆角,而在相应的位置加上修正图形,便可得到更理想的图形,网上找了个图形,可能看不太清,将就一下

OPC,为英文Optical Proximity Correction简称,翻译成中文为光学临近修正。

在深亚微米的半导体制造中,由于关键图形的CD已经远远小于光源的波长,所以由于光的衍射效应,导致光罩投影至硅片上面的图形有很大的变化,如线宽的变化,转角的圆化,线长的缩短等,以及各种光学临近效应。

为了避免这些效应的产生,直接修改Design house tape out 出来的Pattern,然后再交给mask shop去做mask. 例如将line end上修改成hammer head之类的pattern,诸如此类。这个修正的迭代过程就叫OPC。

现在在国内基本上有两家大的OPC tool的vendor, Synopsys和Mentor. 现在Mentor的Tool由于历史原因和市场策略的原因已经占据了国内绝大部分foundry的市场。他们都以Mentor的tool作为golden或sign off的保证。

由于OPC就是为了改善光学临近效应对wafer曝光的影响。所以他的基本工作就是对Design的layout做逐线段的切割移动,然后不断的迭代,最后做verification.所以如果你的工作仅仅是局限在OPC这块,其实也没有什么太大的东西可以关注,如果能够和Process的工艺非常紧密的联系,那倒是还可以学习到不少design和工艺上面的东西。但是到了EUV 阶段,由于光的波长相对于关键图层的关键CD,已经非常接近了。所以并不需要非常复杂的OPC,到时候OPC会变得非常狭小。关于SMO,光源和Mask的同时优化工具,我个人觉得更多的是想优化光源,特别是ASML的flexray的illumination system推出以后,更是需要SMO来先得到一个比较优化的光源。

部分文字内容来源:http://www.2ic.cn/html/51/t-436851.html  转载请保留此链接。

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