IC封装及形式简介

在IC制造过程的后道工序中,通过电测试的硅片要进行单个的芯片装配与封装,而这两个是两种截然不同的过程。在传统工艺中,集成电路最终装配是指将从硅片上分离出的每个好的芯片粘贴在金属引线框架或管壳上,用细线将芯片表面的金属压点和提供芯片电通路的引线框架内端连接起来。完成装配后,将单个的芯片封在一个保护管壳内被称为封装。如现在最常用的便是用塑料包封芯片。

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半导体中的各种现象和效应

半导体中有许多现象效应,大概如下所列:

  • 强场效应
    --MOS FET的结击穿、绝缘膜击穿、热电不稳定性等
  • 电场效应
    --FET(场效应晶体管)等
  • 隧道效应
    --隧道二极管、齐纳二极管等

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浅槽隔离工艺(STI)

相信很多在现在看工艺厂的相关文档时,会看到有些图上面标有STI的注释,STI是英文 shallow trench isolation的简称,翻译过来为 浅槽隔离 工艺。 STI通常用于0.25um以下工艺,通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽,并在槽中填充淀积氧化物,用于与硅隔离.

LOCOS之bird’s beak(鸟嘴效应)

在传统的硅的局部氧化(LOCOS)过程中,当氧扩散穿越已生长的氧化物时,它也会在其它方向上扩散。一些氧原子纵向扩散进入硅,另一些氧原子横向扩散,这样就造成氮化物掩膜下有着轻微的侧面氧化生长。由于氧化层比消耗的硅更厚,所以在氮化物掩膜下的氧化生长会装氮化物的边缘抬高。这种现现被称为“鸟嘴效应”(bird’s beak)。

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unix系统 chmod命令使用和举例

做为一个项目管理者或系统管理员,会经常用到对文件和用户进行一些权限操作,最常用的就是chmod命令,而其又分为文字设定法和数字设定法,以后分别介绍并举例,希望本文 对读者有帮助。

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后仿模拟步骤

后模拟是在Layout通过了DRC和LVS后才开始做的,通过模拟提取出来的网表可以精确的评估电路的速度,以及寄生参数带来的影响。后模拟的结果如果不能满足要求,那么就要重新调整器件参数甚至电路的形式。当然得到满意的后模拟结果也并不能确保最后芯片的结果。

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Dracula DRC及LVS简介

Dracula (吸血鬼)是Cadence 的一独立的版图验证工具,它采用批处理的工作方式。Dracula 功能强大,目前被认为布局验证的标准,几乎全世界所有的IC 公司都拿它作sigh-off 的凭据。特别是对整个芯片版图的最后验证,一定要交由Dracula 处理。

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