/* 访问计数 */ function record_visitors() { if (is_singular()) { global $post; $post_ID = $post->ID; if($post_ID) { $post_views = (int)get_post_meta($post_ID, 'views', true); if(!update_post_meta($post_ID, 'views', ($post_views+1))) { add_post_meta($post_ID, 'views', 1, true); } } } } add_action('wp_head', 'record_visitors'); polysilicon – 芯片版图

CMOS制造中的多晶硅栅结构工艺

晶体管中的多晶硅栅(polysilicon gate)结构的制作是整个CMOS流程中最关键的一步,它的实现要经过栅氧层的形成和多晶硅栅刻蚀这两个基本过程,多晶硅栅的最小尺寸决定着一个工艺的特征尺寸,同进也为下面的源漏注入充当掩膜的作用,这也是做为IC版图工程师需要掌握的基础知识。

阅读更多