polysilicon – 芯片版图

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CMOS制造中的多晶硅栅结构工艺

2012/10/62011/8/3 作者 admin

晶体管中的多晶硅栅(polysilicon gate)结构的制作是整个CMOS流程中最关键的一步，它的实现要经过栅氧层的形成和多晶硅栅刻蚀这两个基本过程，多晶硅栅的最小尺寸决定着一个工艺的特征尺寸，同进也为下面的源漏注入充当掩膜的作用，这也是做为IC版图工程师需要掌握的基础知识。