分类
Process

浅槽隔离工艺(STI)

相信很多在现在看工艺厂的相关文档时,会看到有些图上面标有STI的注释,STI是英文 shallow trench isolation的简称,翻译过来为 浅槽隔离 工艺。 STI通常用于0.25um以下工艺,通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽,并在槽中填充淀积氧化物,用于与硅隔离.

分类
Process

LOCOS之bird’s beak(鸟嘴效应)

在传统的硅的局部氧化(LOCOS)过程中,当氧扩散穿越已生长的氧化物时,它也会在其它方向上扩散。一些氧原子纵向 […]