美研制出栅长20纳米的新型“4维”晶体管

 据物理学家组织网12月6日(北京时间)报道,美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明:一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管,其重要组件“门”(栅极)的长度缩减到了突破性的20纳米。这...

晶体管版图的画法对其电阻的影响

我们都知道在CMOS工艺中的晶体管由源极(active),栅极(poly-silicon) 和漏极(active)区域组成,但是要使其工作我们必需给三端都接上信号。因此就会有金属线电组,接触孔电阻,源区电阻,接触孔到栅极电阻以...