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晶体管的名称属性—IGBT和MCT

总的来说, 晶体管可以划分为两类:双极型晶体管(BT)和场效应晶体管(FET)。它们的基本特点分别是:双极型晶 […]

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美研制出栅长20纳米的新型“4维”晶体管

 据物理学家组织网12月6日(北京时间)报道,美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明:一种 […]

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晶体管版图的画法对其电阻的影响

我们都知道在CMOS工艺中的晶体管由源极(active),栅极(poly-silicon) 和漏极(activ […]