分类
Process

CMOS制作步骤(十):Via-2, Plug-2,Metal-2及Top Metal形成

在Via-1, Plug-1及Metal-1互连形成后,接下来形成的是Via-2, Plug-2及Metal- […]

分类
Process

CMOS制作步骤(九):Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成

层间介质(ILD)充当了各层金属间以及第一层金属与硅之间的介质材料。层间介质上有许多小的通孔,这些层间介质上的 […]