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CMOS制作步骤(一):双阱工艺

现在COMS工艺多采用的双阱工艺制作步骤主要表现为以下几个步骤:

■ N阱的形成

  1. 外延生长     *外延层已经进行了轻的P型掺杂
  2. 原氧化生长  这一氧化层主要是a)保护表面的外延层免受污染,b)阻止了在注入过程中对硅片过度损伤,c)作为氧化物层屏蔽层,有助于控制流放过程中杂质的注入深度
  3. 第一层掩膜 ,n阱注入
  4. n阱注放(高能)
  5. 退火 退火后的四个结果:a)裸露的硅片表面生长了一层新的阴挡氧化层,b)高温使得杂质向硅中扩散c)注入引入的损伤得到修复,d)杂质原子与硅原子间的共价键被激活,使得杂质原子成为晶格结构中的一部分。

cmos-double-well-process-nwell

■ P阱的形成

  1. 第二层掩膜, p阱注入  *P阱注入的掩膜与N阱注入的掩膜相反
  2. P阱注入(高能)
  3. 退火

cmos-double-well-process-pwell

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