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台积电、三星、Intel先进制程对比

台积电、三星、Intel先进制程对比,半导体评断技术实力,看的是晶体管效能、芯片金属层连结及芯片闸密度,后二者 […]

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2020年7纳米制程:摩尔定律的终点站

美国国防部先进研究项目局微系统技术办公室主管罗伯特-克罗韦尔(Robert Colwell)认为,摩尔定律的终 […]

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半导体工艺中几种常见的光刻方法

接触式光刻:分辨率较高,但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光:在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙( […]

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晶体管的名称属性—IGBT和MCT

总的来说, 晶体管可以划分为两类:双极型晶体管(BT)和场效应晶体管(FET)。它们的基本特点分别是:双极型晶 […]

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一颗 45nm CPU的制造过程

沙子 : 硅是地壳内第二丰富的元素,而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2) […]

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美研制出栅长20纳米的新型“4维”晶体管

 据物理学家组织网12月6日(北京时间)报道,美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明:一种 […]

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CMP后清洗技术进展

摩尔定律的一个重大副作用就是从不明确地确定半导体产业中的技术问题。对目前制造节点完全适用的材料和工艺可能几年后 […]

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化学机械平坦化CMP

到了20世纪80年代后期,IBM开发了化学机械平坦化(chemical mechanical planariz […]

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半导体制造中传统的平坦化技术

20世纪70年代出现了多层金属技术,但伴随其出现的较大的表面起伏也成为了亚微米图形制作的不利因素,如下图所示。 […]

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半导体制造中的平坦化技术