CMOS制作步骤(六):源/漏注入工艺

在侧墙形成后,需要进行的就是源/漏注入工艺。先要进行的是n+源/漏注入,光刻出n型晶体管区域后,进行中等剂量的注入,其深度大于LDD的结深,且二氧化硅构成的侧墙阻止了砷杂质进入狭窄的沟道区。接下来进行P+源/漏注入,在光刻出了要进行注入的P型晶体管区域后,同样进行中等剂量注入,形成的结深比LDD形成的结深略大,侧墙起了同样的阻挡作用。注入后的硅片在快速退火装置中退火,在高温状态下,对于阻止结构的扩展以及控制源/漏区杂质的扩散都非常重要。源/漏注入工艺 的基本过程如下图所示:

cmos-n-implant
n+源/漏注入
cmos-p-implant
p+源/漏注入
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