分类 Layout ic layout设计中的几种功率管(power mos)版图 简单提一下几种power mos的 layout 画法,并简要说明其优缺点。 文章作者 admin 发布日期 2011/7/30 ic layout设计中的几种功率管(power mos)版图有2条评论 Post views 3,674 views 常规连线 优点:提供了源极和漏极间最大可能的金属连线数量,使连线宽度最大化 缺点:产生额外压使器件中的电流分布不均匀 对角连线 优点:逐渐变细的总线可以减小偏置效应,使电流均匀分布于晶体管各叉指。 华夫饼式 优点:面积最省 缺点:a)没有考虑金属边线影响;b)沟道存在大量转弯;c)没有背栅接触。 曲栅式 曲栅增加了栅极的宽度,使栅极捏死紧密,可以轻易地容纳分布式背栅接触孔,栅极135度弯曲不易发生局部雪崩击穿,源和漏接触孔对角放置增加源、漏限流作用,改善器件稳定性。 点赞(11 likes) 标签 ic, mos, power, 版图 ← 利用linux tree命令移除*.cdslck文件脚本 → 国内上google+/youtobe/facebook/twitter的方法 “ic layout设计中的几种功率管(power mos)版图”上的2条回复 我采用过第一种和第四种,另powermos上一般电流过大可以考虑将drain contact离mos远一点,参考esdmos的画法 曲栅式我没用过,其它都用过了哈 发表评论 取消回复您的电子邮箱地址不会被公开。 必填项已用*标注评论 显示名称 * 电子邮箱地址 * 网站网址 在此浏览器中保存我的显示名称、邮箱地址和网站网址,以便下次评论时使用。
“ic layout设计中的几种功率管(power mos)版图”上的2条回复
我采用过第一种和第四种,另powermos上一般电流过大可以考虑将drain contact离mos远一点,参考esdmos的画法
曲栅式我没用过,其它都用过了哈