除非注明,否则均为芯片版图原创文章,转载必须以链接形式标明本文链接
本文链接:https://www.chiplayout.net/ic-layout-power-mos.html
您的电子邮箱地址不会被公开。 必填项已用*标注
在此浏览器中保存我的显示名称、邮箱地址和网站地址,以便下次评论时使用。
Δ
我采用过第一种和第四种,另powermos上一般电流过大可以考虑将drain contact离mos远一点,参考esdmos的画法
@J.C.
曲栅式我没用过,其它都用过了哈
可以邮件到 admin@chiplayout.net或微信公众号 chiplayout
请问可以留个微信吗
可以的 先打开来A的gds set L [layout create A.gds xxxxxx] import B的GDS $L import B.gds xxxxx $L create ref A的topcell B的topcell x y 0 0 1 $L gdsout new.gds 但如果是给每个io加入对应的dummy就要用到循环了 但如果每个io dummy的的名字和每个io的对应名字一样,直接打开drv,import选 append模式,完了保存就行 所以,要看具体情况的
有两个gds(带IO的A.gds和dum.gds)做Layout Merge,能否使合并后的gds仍然保持A.gds的名称呢? 能否指定合并的gds的坐标呢?
设置了之后重新打开GDS文件右边的layer列表又重置了,每次打开都要再编辑T T
我采用过第一种和第四种,另powermos上一般电流过大可以考虑将drain contact离mos远一点,参考esdmos的画法