ic layout设计中的几种功率管(power mos)版图 2012/8/182011/7/30 9,939views 作者 admin 常规连线 优点：提供了源极和漏极间最大可能的金属连线数量，使连线宽度最大化 缺点：产生额外压使器件中的电流分布不均匀 对角连线 优点：逐渐变细的总线可以减小偏置效应，使电流均匀分布于晶体管各叉指。 华夫饼式 优点：面积最省 缺点：a)没有考虑金属边线影响；b)沟道存在大量转弯；c)没有背栅接触。 曲栅式 曲栅增加了栅极的宽度，使栅极捏死紧密，可以轻易地容纳分布式背栅接触孔，栅极135度弯曲不易发生局部雪崩击穿，源和漏接触孔对角放置增加源、漏限流作用，改善器件稳定性。
我采用过第一种和第四种，另powermos上一般电流过大可以考虑将drain contact离mos远一点，参考esdmos的画法
曲栅式我没用过，其它都用过了哈