Layout

ic layout设计中的几种功率管(power mos)版图

简单提一下几种power mos的 layout 画法，并简要说明其优缺点。

常规连线
优点：提供了源极和漏极间最大可能的金属连线数量，使连线宽度最大化
缺点：产生额外压使器件中的电流分布不均匀
对角连线
优点：逐渐变细的总线可以减小偏置效应，使电流均匀分布于晶体管各叉指。
华夫饼式
优点：面积最省
缺点：a)没有考虑金属边线影响；b)沟道存在大量转弯；c)没有背栅接触。
曲栅式
曲栅增加了栅极的宽度，使栅极捏死紧密，可以轻易地容纳分布式背栅接触孔，栅极135度弯曲不易发生局部雪崩击穿，源和漏接触孔对角放置增加源、漏限流作用，改善器件稳定性。