ic layout设计中的几种功率管(power mos)版图

  1. 常规连线
    优点：提供了源极和漏极间最大可能的金属连线数量，使连线宽度最大化
    缺点：产生额外压使器件中的电流分布不均匀
    power_mos_1
  2. 对角连线
    优点：逐渐变细的总线可以减小偏置效应，使电流均匀分布于晶体管各叉指。
    power_mos_2
  3. 华夫饼式
    优点：面积最省
    缺点：a)没有考虑金属边线影响；b)沟道存在大量转弯；c)没有背栅接触。
    power_mos_3
  4. 曲栅式
    曲栅增加了栅极的宽度，使栅极捏死紧密，可以轻易地容纳分布式背栅接触孔，栅极135度弯曲不易发生局部雪崩击穿，源和漏接触孔对角放置增加源、漏限流作用，改善器件稳定性。
    power_mos_4

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2 replies on “ic layout设计中的几种功率管(power mos)版图”

J.C. says:

我采用过第一种和第四种，另powermos上一般电流过大可以考虑将drain contact离mos远一点，参考esdmos的画法

loongsky says:

@J.C.

曲栅式我没用过，其它都用过了哈

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