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LOCOS之bird’s beak(鸟嘴效应)

在传统的硅的局部氧化(LOCOS)过程中,当氧扩散穿越已生长的氧化物时,它也会在其它方向上扩散。一些氧原子纵向扩散进入硅,另一些氧原子横向扩散,这样就造成氮化物掩膜下有着轻微的侧面氧化生长。由于氧化层比消耗的硅更厚,所以在氮化物掩膜下的氧化生长会装氮化物的边缘抬高。这种现现被称为“鸟嘴效应”(bird’s beak)。

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