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CMOS制作步骤（十）：Via-2, Plug-2,Metal-2及Top Metal形成

在Via-1, Plug-1及Metal-1互连形成后，接下来形成的是Via-2, Plug-2及Metal- […]

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CMOS制作步骤（九）：Via-1, Plug-1及Metal-1互连的形成

层间介质（ILD）充当了各层金属间以及第一层金属与硅之间的介质材料。层间介质上有许多小的通孔，这些层间介质上的 […]