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CMOS制造中的多晶硅栅结构工艺

晶体管中的多晶硅栅(polysilicon gate)结构的制作是整个CMOS流程中最关键的一步,它的实现要经过栅氧层的形成和多晶硅栅刻蚀这两个基本过程,多晶硅栅的最小尺寸决定着一个工艺的特征尺寸,同进也为下面的源漏注入充当掩膜的作用,这也是做为IC版图工程师需要掌握的基础知识。

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多晶硅栅结构制作基本步骤一:栅氧化层的生长。清洗掉硅片曝露在空气中沾染的杂质和形成的氧化层。进入氧化炉生长一薄层二氧化硅。

多晶硅栅结构制作基本步骤二:多晶硅淀积。硅片转入通有硅烷的低压化学气相淀积设备,硅烷分解从而在硅片表面淀积一层多晶硅,之后可以对poly进行掺杂。

多晶硅栅结构制作基本步骤三:多晶硅光刻。 在光刻区利用深紫外线光刻技术刻印多晶硅结构。

多晶硅栅结构制作基本步骤四:多晶硅刻蚀。利用异向等离子体记刻蚀机对淀积的多晶硅进行刻蚀,得到垂直剖面的多晶硅栅。

 

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